그래핀 얇은 막 이용해 분자 메모리 소자 만들어

성균관대 이효영 교수팀, 수율 100%로 끌어 올려

이효영 성균관대 교수 국내 연구진이 그래핀의 얇은 막을 이용해 제작 효율과 성능이 뛰어난 메모리 소자를 만드는 데 성공했다. 이효영 성균관대 화학과 교수는 “비휘발성 분자 메모리 소자에 환원산화그래핀 전극막을 씌워 수율과 전도성을 개선하는 데 성공했다”고 27일 밝혔다. 비휘발성 분자 메모리 소자는 분자를 이용한 메모리 소자로 전원이 없어도 저장된 정보를 유지할 수 있어 컴퓨터나 스마트폰 메모리로 많이 쓰인다. 하지만 그간 분자 메모리 소자는 수율이 10% 미만이었다. 이 교수팀은 수 나노미터(nm·1nm는 10억 분의 1m) 두께의 환원산화그래핀을 전극 사이에 끼워 넣어 수율을 100% 수준으로 끌어올리는 데 성공했다. 환원산화그래핀은 흑연을 산화시켜 만든 그래핀옥사이드를 환원한 용액으로 그래핀과 마찬가지로 전기 전도도가 높은 물질이다. 이 교수는 “환원산화그래핀 용액을 이용해 분자 메모리 소자를 만들면 수율이 높을 뿐 아니라 그래핀과 마찬가지로 휘어지는 디스플레이, 태양전지 등에 응용할 수 있다”고 밝혔다. 이 연구결과는 화학분야 권위지인 ‘앙게반테 케미’ 16일자 온라인판에 실렸다. 이현경 기자 uneasy75@donga.com

출처 http://news.dongascience.com/PHP/NewsView.php?kisaid=20111127200002263050&classcode=01